芯片抛光研磨

CMP 已经成为半导体行业多年来的常见术语。它已经被赋予了两个不同的含义。

在微芯片制造的早期，CMP（化学机械抛光）被简单地认为是一种表面处理技术，它采用了化学手段的材料氧化与机械磨损相结合，以抛光未使用的硅晶片。早期的抛光垫是由天然皮革材料制成的，存在许多问题。合成材料开始被采用，因此今天我们有三种基本类型的抛光垫，尽管在每个类别中都有许多版本。

在制造成品晶片（带有多层金属沉积和氧化物等）的开发中，有必要对这些不同的沉积物进行平坦化处理。新的垫选项以及针对各种金属和氧化物等的新一代晶片抛光（浆料）被设计出来。开始使用了 CMP（化学机械平坦化）这一术语。抛光机器重新设计了不同的微处理器选项，以实现基本抛光参数的控制以及过程数据的收集。因此，今天我们有一个非常详细的技术，它采用高技术机器、浆料和抛光垫。